#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
IPB,IPP230N06L3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 30A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 23 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 11µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1600pF @ 30V |
功率 - 最大 | 36W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 30A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 11µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 23 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 36W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1600pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10nC @ 4.5V |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 30 A |
系列 | IPP230N06 |
RDS(ON) | 23 mOhms |
功率耗散 | 36 W |
商品名 | OptiMOS |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
零件号别名 | IPP230N06L3GXKSA1 SP000680886 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
IPP230N06L3 G也可以通过以下分类找到
IPP230N06L3 G相关搜索